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SK海力士DDR5-6400内存芯片细节曝光:密度翻番

2019-03-01 12:14:44浏览:975评论:0 来源:山村网   
核心摘要:  我们都知道,玩家对于内存的频率追求是没有上限的,因此厂商们都在不断的去努力提高。就在近日,SK海力士就公布了旗下第一颗

­  我们都知道,玩家对于内存的频率追求是没有上限的,因此厂商们都在不断的去努力提高。就在近日,SK海力士就公布了旗下第一颗DDR5-6400内存芯片,频率高达6400MHz,是现在多数DDR4内存的两倍左右,而且单颗容量为16Gb(2GB)。

­  而且根据SK海力士官方的介绍,他们的这种DDR5-6400内存采用1ynm工艺制造,也就是第二代10nm级别工艺(DRAM工艺现在极少明确到个位数),四个金属层,面积为76.22平方毫米。这是什么概念呢?意思就是SK海力士此前的第一代21nm工艺8Gb(1GB) DDR4内存芯片面积是76平方毫米,等于如今在同样的面积内实现了两倍的容量,存储密度翻了一番,可谓是十分的恐怖了。

­  当然了,翻番的存储密度可以有效抵消上涨的成本,更何况还可以做出更小的4Gb芯片。另外,新内存的工作电压仅为1.1V,相比于DDR4标准的1.2V又降低了大约8%,而很多高频DDR4内存都要加到1.35V甚至是很危险的1.5V。

­  而根据此前的信息来看,目前,三星电子、SK海力士、美光等巨头都在冲刺DDR5,但是行业规范迟迟没能定下来,原计划2018年底出炉的标准至今还没有确定,而且JEDEC组织一直没有给出新的时间表。而在另一方面,针对智能手机等低功耗便携式设备的LPDDR5都已经搞定了。

原标题:SK海力士DDR5-6400内存细节:密度翻番
(责任编辑:豆豆)
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